Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы

Содержание
Содержание
Список сокращений и условных обозначений.
Введение.
Глава I. Обзор литературы.
1.1 Электронные состояния на поверхности полупроводников со слоями адатомов
1.2 Атомная структура и электронные состояния поверхности СбАЗзАб
1.3 Атомная структура и электронные состояния поверхности БЬСаАБ
1.4 Постановка задачи
Глава II. Методика эксперимента.
2.1. Образцы
2.2 Экспериментальные сверхвысоковакуумные установки
2.3 Приготовление атомарночистой поверхности ОаАБОО и границ раздела СБСаАБ1, СББЬЛЗаАБО 1
2.4 Методы определения состава и атомной структуры поверхности полупроводников
2.5 Определение изгиба зон и фотоЭДС на поверхности методом спектроскопии фотоотражения
Глава III. Электронные свойства поверхности СаАБ1 с адсорбированными
слоями цезия
з
3.1 Атомная структура и электронные свойства поверхности СвСаАз1
3.2 Тонкая структура дозовых зависимостей изгиба зон и фотоЭДС в системе СзОаАз1
3.3 Расчет эволюции изгиба зон и сопоставление с экспериментом.
3.4 Гистерезис зависимости изгиба зон от величины покрытия при адсорбции и термодесорбции цезия на поверхности ОаАзОО
3.5 Кинетика изгиба зон на поверхности СзОаАз1.
Заключение к главе III.
Глава IV. Атомная структура и электронные свойства поверхности ОаАзОО с адсорбированными слоями сурьмы и цезия
4.1 Атомная структура и электронные свойства поверхности 8ЬСаАз1.
4.2 Атомная структура и электронные свойства поверхности СэЗЬСаАяО 1.
4.3 Фотоэмиссионные характеристики поверхности
СаЛз1 8ЬСб,0
Заключение к главе IV
Заключение
Список литературы