Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров и экситонов в германии

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава I Ударная ионизация мелких примесных центров и экситонов в полупроводниках обзор литературы
1.1 Мелкие водородоподобные образования в полупроводниках
1.2. Ударная ионизация мелких примесных центров в германии .
5 1.3. Ударная ионизация экситонов в полупроводниках
1.4. Кинетические коэффициенты
1.5 Оптоэлектронные приборы, работающие на основе примесного пробоя 3
Глава I Методика эксперимента
52.1 Технология изготовления образцов
5 2.2 Обоснование экспериментальной методики
2.3 Экспериментальная установка .
Глава 3 Кинетика ударной ионизации мелких примесных
центров в германии
3.1 Метод исследования кинетики примесного пробоя фотовозбуждениого германия
3.2 Коэффициент ударной ионизации мелких примесных центров
3.3 Коэффициент захвата носителей заряда на примесные центры .
5 3.4 Малосигнальный метод изучения кинетики примесного пробоя .
Глава 4 Кинетика ударной ионизации экситонов в германии 7 2,
4.1 Решение уравнений кинетики
4.2 Методика определения концентрации эксиТОНОВ .
4.3 Коэффициент ударной ионизации экситонов .
4.4 Коэффициент связывания электронов и
дырок в экситон
4.5 Ударная ионизация экситонов в магнитном поле
Глава 5 Кинетический режим усиления фототока при примесном пробое в полупроводниках
5 5.1 Зависимость кинетики развития примесного пробоя от уровня фотовозбуждения.
5.2 Коэффициент усиления фототока в кинетическом режиме при примесном пробое
5.3 Экспериментальная реализация кинетического режима, усиления фототока.
Заключение .
Литература