Ви є тут

Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs, O)

Автор: 

Андреев Вячеслав Эдуардович

Тип роботи: 

Дис. канд. физ.-мат. наук

Рік: 

2005

Артикул:

7364

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
• Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
• Теплопроводность халькогенидов свинца и твердых растворов на основе PbTe
• Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te
• Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов
• Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
• Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
• Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния
• Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия
• Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений