- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs, O)
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7364 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx
- Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs
- Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
- Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
- Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
- Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии
- Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
- Коллективные эффекты в электрон-дырочной плазме и их влияние на излучательную рекомбинацию в полупроводниковых низкоразмерных лазерных гетероструктурах
- Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения