Ви є тут

Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs

Автор: 

Шарирзаев Тимур Сезгирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197649

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния
• Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава
• Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
• Теория оптических и акустоэлектрических явлений, связанных с аномалиями в пространственной дисперсии, полевой и деформационной зависимостях диэлектрических откликов кристаллов
• Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах
• Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
• Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами
• Формирование низкоразмерного полупроводникового силицида магния и наногетероструктур на его основе
• Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
• Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111)