Ви є тут

Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs

Автор: 

Шарирзаев Тимур Сезгирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197649

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники
• Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах
• Применение лазерной обработки в технологии изготовления солнечных элементов
• Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
• Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
• Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений
• Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
• Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах
• Ізовалентно заміщені борати літію і барію: синтез, структурні особливості та фізичні властивості
• Исследование временной стабильности и моделирование параметров фотоприемников из антимонида индия с целью оптимизации их конструкции и технологии