Ви є тут

Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs

Автор: 

Шарирзаев Тимур Сезгирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197649

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электрические и оптические свойства пиролитических пленок окислов металлов
• Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями
• Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
• Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
• Свойства пленочных микро- и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементов
• Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах
• Исследование энергетических структур твердых тел тензорным методом
• Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
• Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs
• Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе