- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1998
Артикул:
1000197649 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Структуро- и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом
- Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
- Квантовые кинетические уравнения динамики взаимодействующей экситон-поляритонной системы в полупроводниковом микрорезонаторе
- Исследование влияния структурного совершенства и физико-химических обработок поверхности кремния на характеристики силовых диодов
- Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках
- Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
- Влияние адсорбционного покрытия поверхности кремниевых нанокристаллов на электронные и оптические свойства их ансамблей
- Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах
- Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов