Ви є тут

Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs

Автор: 

Шарирзаев Тимур Сезгирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197649

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
• Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров
• Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов
• Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы
• Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ
• Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
• Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
• Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
• Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (λ=2-5 мкм)
• Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур