Ви є тут

Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs

Автор: 

Шарирзаев Тимур Сезгирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197649

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
• Многоволновая рентгеновская рефлектометрия для анализа многокомпонентных пространственно упорядоченных структур
• Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
• Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур
• Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях
• Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи
• Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях
• Электрические и оптические свойства пиролитических пленок окислов металлов
• Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников
• Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова