Вы здесь

Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs

Автор: 

Шарирзаев Тимур Сезгирович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000197649

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
• Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова
• Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
• Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
• Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
• Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры
• Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела
• Теплопроводность халькогенидов свинца и твердых растворов на основе PbTe
• Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
• Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование