Вы здесь

Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs

Автор: 

Шарирзаев Тимур Сезгирович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000197649

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта усталости ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н
• Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
• Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур
• Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
• Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
• Межзеренный фотовольтаический эффект в тонкопленочных сегнетоэлектрических структурах M/Pb(Zr,Ti)O3/M
• Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
• Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
• Резонансное одно- и двухфотонное взаимодействие света с экситонами в квантовых точках CdSe/ZnS