Вы здесь

Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs

Автор: 

Шарирзаев Тимур Сезгирович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000197649

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Идентификация механизмов токопереноса структур Me-a-Si
• Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем
• Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si
• Електролюмінесценція та енергетичний спектр дефектів тонкоплівкових планарних і торцевих ZnS:Er,F- і ZnS:Cr-структур
• Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
• Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
• Поверхностные состояния и особенности электропроводности квазидвумерных электронных слоев в МДП- и гетеротранзисторах
• Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света
• Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
• Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном