- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7266 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (AgInTe/2)/x (2HgTe)/1-x
- Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
- Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
- Деградация структур металл-арсенид галлия
- Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
- Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками
- Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4
- Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции
- Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5