- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7266 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок
- Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V
- Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
- Исследование термоакустических эффектов в кремниевых пластинах
- Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)
- Поведение примеси марганца в некоторых полупроводниковых соединениях типа А3В5
- Новые аллотропные формы кремния : Получение и свойства
- Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок
- Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2 B6 : На примере ZnSe