- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7266 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Явления электронного переноса при низких температурах
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (l=2-5 мкм)
- Трехчастичные электрон-дырочные комплексы в квантоворазмерных гетероструктурах
- Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
- Резонансные состояния в деформированных полупроводниках
- Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe
- Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры
- Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
- Лазерная спектроскопия неравновесных процессов в полупроводниковых квантовых нитях и точках
- Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники