- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2007
Артикул:
7266 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Развитие метода эффективной массы для III-U полупроводниковых гетероструктур
- Рост и спектрально-люминесцентные свойства монокристаллов Na0,4 (Y,R)0,6 F22 (R-редкоземельные ионы) в коротковолновом диапазоне длин волн
- Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
- Моделирование физических процессов в мощных многослойных структурах на основе карбида кремния
- Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
- Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
- Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
- Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах
- Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)