- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2000
Артикул:
325695 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
- Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния
- Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения
- Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
- Особенности взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной химической эпитаксии
- Поляризационно-селективные свойства четырехслойных оптических диэлектрических волноводов
- Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела
- Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур