- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2000
Артикул:
325695 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых δ-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
- Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
- Влияние разогрева электронно-дырочной плазмы на электрические свойства германия
- Квазиландауское магнитопоглощение ридберговских состояний экситона в полупроводниках
- Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение
- Исследование оптических характеристик полупроводниковых кристаллов с узкими энергетическими зонами
- Карбид кремниевый лавинно-пролетный диод
- Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
- Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного распыления и исследование их свойств
- Ізовалентно заміщені борати літію і барію: синтез, структурні особливості та фізичні властивості