Ви є тут

Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x

Автор: 

АбдэльВаххаб АбдэльКадер Базбаз Хийярат

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2000

Артикул:

325695

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Экситонная спектроскопия гетероструктур на основе широкозонных II-VI полупроводников
• Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
• Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe
• Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
• Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
• Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
• Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией
• Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
• Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом
• Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах