Содержание
Введение.
Глава 1. Основные свойства широкозонных полупроводников на основе 9 халькогенидов бериллия. Экспериментальные методики.
1.1. Обзор литературы по свойствам халькогенидов бериллия, выращиваемых 9 методом МПЭ.
1.2. Экспериментальные методики.
1.2.1. Образцы и основные экспериментальные методики.
1.2.2. Спектроскопия отражения от структур с квантовыми ямами,
сверхрсшетками и микрорезонаторами.
1.2.3. Магнитооптические измерения экситонов.
1.3. Особенности энергетического спектра носителей в гетероструктурах типа с большой величиной разрыва зон.
1.3.1. Область пространственно прямых переходов надбарьерныеэкситоны.
1.3.2. Область пространственно непрямых переходовинтерфейсные
переходы.
Глава 2. Оптические свойства полупроводниковых структур на основе селенида цинка.
2.1. Измерение композиционной и температурной зависимостей показателя преломления эпитаксиальных слоев i.x.x.
2.2. Исследование поведения поляритонных спектров в толстых слоях глЭБе в зависимости от концентрации серы.
2.3. Анализ экситонных оптических и магнитооптических спектров в квантовых ямах гпе2пМзе.
Глава 3. Надбарьерные экситоны в квантовых ямах и сверхрешетках тина 2п5еВеТе.
3.1. Сравнительный анализ оптических экситонных свойств в КЯ типа
гпЗеВсТе и типа1 7пе7.пВе8с.
3.2. Эффект усиления экситонфоионного взаимодействия в ЬСЯ типа.
Глава 4. Оптическая анизотропия гетероструктур 7п8еВеТе вызванная интерфейсными эффектами.
4.1. Симметрия гетероструктур без общего атома на интерфейсе.
4.2. Проявление оптической анизотропии в сверхрешетках гпБеВеТе.
4.3. Электрооптический эффект н двухбарьерных структурах ВеТе7п8еВеТе.
4.4. Влияние интерфейсных флуктуации на степень поляризации.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922