- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
181
Артикул:
140572 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптическая и магнитооптическая спектроскопия ZnSe и низкоразмерных гетеросистем на его основе
- Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур
- Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя p-n - перехода
- Моделирование электрических свойств виртуальных сегнетоэлектриков, входящих в состав управляемых конденсаторов
- Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
- Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
- Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
- Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами
- Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9
- Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии