- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
181
Артикул:
140572 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
- Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
- Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями
- Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений
- Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния
- Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта усталости ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
- Низкотемпературная туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия халькогенидов свинца
- Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов