- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
181
Артикул:
140572 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия
- Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями
- Квазиландауское магнитопоглощение \"ридберговских\" состояний экситона в полупроводниках
- Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
- Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием
- Исследование физических свойств ВТСП купратов в рамках модели сверхпроводящего спаривания с отталкивательным взаимодействием
- Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния
- Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Встраивание мышьяка и фосфора при молекулярно-лучевой эпитаксии твёрдых растворов (AIII)PxAs1-x