- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7416 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена
- Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Особенности электропереноса в полупроводниковых материалах на основе сульфидов самария
- Распространение и локализация света в фотонных микроструктурах
- Межзеренный фотовольтаический эффект в тонкопленочных сегнетоэлектрических структурах M/Pb(Zr,Ti)O3/M
- Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния
- Влияние микро- и наноструктурирования на оптические свойства кремниевых слоев
- Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии
- Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.