- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7416 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
- Формирование низкоразмерного полупроводникового силицида магния и наногетероструктур на его основе
- Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
- Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния
- Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS
- Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках
- Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов