ОГЛАВЛЕНИЕ
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
1. ПОЛУЧЕНИЕ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ СВОЙСТВ
ЕЕ Методы получения и легирования монокристаллов карбида кремния
Е2. Высокотемпературная установка для выращивания объемных монокристаллов Б1С.
1.3. Режимы выращивания монокристаллов карбида кремния
1.4. Исследования электрофизических характеристик монокристаллов БЮ
1.4.1. Исследования эффекта Холла и удельного сопротивления
1.4.2. Омические контакты
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЛЕГИРОВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ
2.1. Литературный обзор.
2.2. Оценка энергии замещения и релаксации решетки вокруг примесного атома в карбиде кремния
2.3. Влияние примесей замещения на параметр решетки БЮ
2.4. Оценка предельных растворимостей примесей в БЮ.
3. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ СИСТЕМЫ БЮ А1, V
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО АЛЮМИНИЕМ
4.1. Влияние пористости графита кристаллизационной ячейки на рост и легирование монокристаллов карбида кремния.
4.2. Влияние условий получения объемных монокристаллов БЮ на уровень легирования алюминием
4.3. Неоднородности легирования алюминием кристаллов БЮ
5.1ЮЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА ПОЛ У ИЗОЛИРУЮЩЕГО КАРБИДА КРЕМНИЯ.
5.1. Параметры и свойства примесных центров ванадия
5.2. Получение карбида кремния обладающего полуизолирующими свойствами
5.3. Исследование электрических и оптических свойств полуизолирующего БЮУ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922