- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
136
Артикул:
7249 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния
- Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в твердых растворах AlxGa1-xAs
- Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs
- Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
- Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
- Взаимодействие зарядов на границах раздела конденсированных сред и в слоистых системах
- Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия