- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
136
Артикул:
7249 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях
- Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
- Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
- Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
- Термическое газофазное осаждение алмазных плёнок с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза в качестве центров зародышеобразования
- Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда
- Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs
- Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.