- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
136
Артикул:
7249 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Массоперенос в полупроводниковых материалах с участием жидкой фазы
- Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния
- Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Дефекты, кристаллографическое упорядочение, свойства оксидов со структурой граната
- Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов
- Определение энергетического спектра гетероструктур с квантовыми ямами в системе InGaAs/GaAs по данным спектроскопии адмиттанса
- Моделирование электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами
- Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ