- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
155
Артикул:
7234 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
- Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия
- Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
- Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами
- Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
- Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки
- Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
- Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ?-легированном арсениде галлия