Ви є тут

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил
• Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
• Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
• Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
• Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников
• Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния
• Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
• Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур
• Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
• Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур