- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1999
Артикул:
1000212210 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод
- Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
- Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок
- Исследование газочувствительности тонких пленок оксида олова и возможности их применения для распознавания газов
- Фотонамагничивание магнитных полупроводников и диэлектриков
- Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
- Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
- Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений