Ви є тут

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
• Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62
• Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
• Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5
• Исследование эффектов пространственной неоднородности накачки и оптического поля в полосковых инжекционных лазерах и полупроводниковых оптических усилителях
• Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии
• Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
• Исследование временной стабильности и моделирование параметров фотоприемников из антимонида индия с целью оптимизации их конструкции и технологии
• Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
• Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов