Ви є тут

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле
• Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
• Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
• Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
• Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне
• Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек
• Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов CaInAsSb
• Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
• Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
• Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний