Ви є тут

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
• Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова
• Исследование термоэлектрических свойств материалов Р-типа на основе соединений магния с элементами четвертой группы
• Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ
• Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
• Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках
• Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния
• Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
• Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии
• Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты