Ви є тут

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния
• Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
• Дефекты, кристаллографическое упорядочение, свойства оксидов со структурой граната
• Особенности расчета распределения концентрации собственных точечных дефектов в монокристаллах кремния
• Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
• Електролюмінесценція та енергетичний спектр дефектів тонкоплівкових планарних і торцевих ZnS:Er,F- і ZnS:Cr-структур
• Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
• Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
• Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия
• Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе