Вы здесь

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах
• Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами
• Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии
• Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике α-Fe2 O3
• Структурная модификация свойств аморфного гидрогенизированного углерода
• Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
• Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии
• Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния
• Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей
• Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2