Вы здесь

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
• Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
• Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы
• Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
• Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
• Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов
• Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами
• Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур
• Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
• Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках