Вы здесь

Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах

Автор: 

Иванкив Игорь Михайлович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1999

Артикул:

1000212210

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
• Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения
• Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных плёнок
• Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
• К теории кинетических явлений в двумерных анизотропных системах
• Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP_2, In_xGa_1-xAs и GaAs_1-xSb_x
• Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
• Структуро- и формообразование микро- и наносистем на основе широкозонных материалов, обладающих полиморфизмом
• Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова