- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
128
Артикул:
138611 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов CaInAsSb
- Электрооптические свойства несимметричных жидкокристаллических микролинз
- Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As
- Субструктура и оптические свойства гетероструктур на основе А3В5
- Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением
- Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
- Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x
- Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
- Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры