- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
128
Артикул:
138611 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов бора
- Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
- Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
- Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
- Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As
- Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии
- Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе GaAs полупроводниковых гетероструктур
- Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями
- Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания