- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
128
Артикул:
138611 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2┤S4 и ZnAl2┤S4
- Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6
- Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
- Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO_2 на кремнии
- Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях
- Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
- Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур
- Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
- Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния