Ви є тут

Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе

Автор: 

Николаенко Андрей Евгеньевич

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2006

Кількість сторінок: 

128

Артикул:

138611

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки
• К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках
• Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
• Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
• Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
• Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
• Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
• Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
• Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах
• Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии