- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
128
Артикул:
138611 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Собственное оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов полупроводников A3B5
- Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (λ=1.6-1.85 мкм
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: ? =0,78 - 1,3 мкм
- Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси
- Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
- Субструктурные изменения высокоглиноземистых керамических диэлектриков в результате нейтронного облучения
- Энергетическая структура макромолекул и наноструктур
- Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных A3B5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения
- Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии