- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
128
Артикул:
138611 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
- Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения
- Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111)
- Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
- Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
- Нанесение коммутационных и антидиффузионных слоев на силициды переходных металлов и кремний
- Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
- Квантовые точки I и II типа
- Калорические, термические и электрофизические свойства твердых растворов Ba1-xCexTiO3