- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
128
Артикул:
138611 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки
- Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями
- Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями
- Определение энергетического спектра гетероструктур с квантовыми ямами в системе InGaAs/GaAs по данным спектроскопии адмиттанса
- Термокондуктометрические и калометрические эффекты при распространении поверхностных акустических волн в пьезоэлектрических монокристаллах
- Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
- Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры
- Двухволновая модуляционная спектроскопия неравновесных электронов в полупроводниковых структурах
- Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии
- Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности