- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
128
Артикул:
138611 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм
- Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
- Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Многоэлементные фотоприемники с интегральным принципом формирования сигнала для систем обработки оптической информации
- Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках
- Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка
- Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
- Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния
- Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения