Ви є тут

Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах

Автор: 
Пчелинцева Екатерина Сергеевна
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2011
Кількість сторінок: 
131
Артикул:
137654
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
Г лава 1 Радиационностимулированная генерация тока на основе ачьфа и бетаисточников.
1.1 Радиационностимулированная генерация тока на основе аисточников
1.2 Радиационностимулированная генерация тока на основе 3Н
1.3 Радиационностимулированная генерация тока на основе Б.
1.4 Радиационностимулированная генерация тока на основе .
1.5 Влияние альфа и бета излучения на свойства кремниевых структур
Выводы по главе 1
Глава 2 Методика проведения экспериментов
2.1 Измерение вольтамперных характеристик.
2.2 Измерение вольтфарадных характеристик.
2.3 Измерение времени жизни носителей заряда.
2.4 Измерение вольтамперных характеристик при моноэнергетическом электронном облучении и бетаоблучении.
2.5 Определение активности бетаисточника
2.6 Определение структурных особенностей опытных образцов
Глава 3 Исследование генерации тока при моноэнергетическом электронном облучении
3.1 Характеристики опытных образцов
3.2 Результаты исследования структурных особенностей опытных образцов
3.3 Исследование скорости генерации при моноэнергетическом электронном облучении
Выводы по главе 3
Глава 4 Моделирование генерации носителей в ОПЗ при электронном облучении
4.1 Функция генерации носителей заряда.
4.2 Аналитическое решение уравнения непрерывности
4.3 Численное решение уравнения непрерывности
Выводы по главе 4.
Глава 5 Моделирование и исследование генерации носителей от бетаисточника
на основе изотопа .
5.1 Выбор бетаисточников для исследования бетавольтаического эффекта
5.2 Моделирование бетавольтаического эффекта на основе изотопа .
5.3 Экспериментальное исследование бетавольтаического эффекта с применением изотопа .
5.4 Влияние зарядки на бетавольтаический эффект с использование радионуклида М
Выводы по главе 5
Список литературы