- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2008
Кількість сторінок:
185
Артикул:
7216 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах
- Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
- Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе
- Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
- Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот
- Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
- Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
- Исследование эффектов пространственной неоднородности накачки и оптического поля в полосковых инжекционных лазерах и полупроводниковых оптических усилителях
- Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях