Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.
1.1. Свойства стеклообразных полупроводников как среды памятиI
1.1.1. Фазовые состояния халькогепидных полупроводников.1
1.1.2. Структурные особенности стекла
1.1.3. Электрофизические свойства
1.2. Применение стеклообразных полупроводников в ячейках энергонезависимой памяти.
1.2.1. Эффект переключения в стеклообразных полупроводниках
1.2.2. Применение ячеек памяти на основе ХСП в современных устройствах энергонезависимой памяти
1.3. ПРИМЕНЕНИЕ МОДЕЛЕЙ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ФАЗОВЫХ ТРАНСФОРМАЦИЙ.
1.3.1. Рост кристаллов из аморфной фазы
1.4. Постановка и обоснование задач исследования.
2. МОДЕЛИРОВАНИЕ НАЧАЛЬНОЙ СТАДИИ ЦИКЛА ЗАПИСИ ОБРАЗОВАНИЯ ТОКОВОГО КАНАЛА В СРЕДЕ, НАХОДЯЩЕЙСЯ В СТЕКЛООБРАЗНОМ СОСТОЯНИИ.
2.1. Механизм иерколяционного пробоя.
2.2. Построение модели модели иерколяционного пробоя.
2.3. Результаты численного расчета.
2.4. Оценка возможности влияния заряда, в прикопгактпой области па высоту барьера п локализацию тока.
2.5. Сравнение численных расчетов с экспериментальными данными.
2.6. Выводы
3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПРИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ С
УЧАСТИЕМ СТЕКЛООБРАЗНОГО СОСТОЯНИЯ
3.1. Моделирование переходов сгеклорасплав, расплавстекло.
3.1.1. Построение модели
3.1.2. Результаты моделирования.
3.2. Моделирование процесса кристаллизации
3.2.1. Построение модели
3.2.2.Результаты моделирования
3.3. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ