ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. НЕУПОРЯДОЧЕННОЕ СОСТОЯНИЕ, МОДЕЛИ
ТОКОПЕРЕНОСА И МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ХСП
1.1. Виды неупорядоченных систем.
1.2. Классификации неупорядоченных систем.
1.3. Модели энергетических зон в неупорядоченных полупроводниках.
1.4. Механизмы токопереноса в некристаллических веществах.
1.5. Методы получения халькогенидных стеклообразных полупроводников
1.5.1. Метод получения объемных ХСП.
1.5.2. Получение аморфных пленок методом
термического напыления
1.5.3. Получение аморфных пленок методом плазмохимического осаждения из газовой фазы
1.6. Основные результаты и выводы по первой главе.
ГЛАВА II. МЕТОДИКИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ
ИССЛЕДОВАНИЯ ОБРАЗЦОВ.
2.1. Эле ктро про водность
2.2. Термоэдс.
2.3. Оптические измерения.
2.4. Методика измерения параметров переключающих элементов
2.5. Основные результаты по второй главе
ГЛАВА Ш.МОДЕЛЬ ИНВЕРСИИ ТИПА ПРОВОДИМОСТИ
В ХСП И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ СеБс И ваТс.
3.1. Модели инверсии типа проводимости в ХСП
3.1.1. Структурный подход.
3.1.2. Электронный подход.
3.1.3. Квантохимическая модель инверсии типа проводимости в ХСП.
3.2. Электрофизические свойства системы веБе.
3.2.1. Зависимость химического состава пленок системы вс Бе от технологических параметров осаждения методом ПХОГФ
3.2.2. Структурные исследования системы ве Бе.
3.2.3. Оптические и электрофизические измерения
для системы ОехБеюох.
3.2.3. Сравнение свойств образцов ОехВеюох, полученных
различными методами.
3.3. Неупорядоченные полупроводники системы
За Те X X РЬ, Бп, Т1
3.3.1. Электрофизические свойства объемных и пленочных образцов системы ва ТеРЬ.
3.3.2. Электрофизические свойства объемных и пленочных образцов системы ва Те Т1
3.3.3. Электрофизические свойства объемных и пленочных образцов системы ва Те Бп
3.3.4. Сравнение электрофизических свойств
Са Те X X РЬ, 8п, Т1.
3.4. Основные результаты и выводы по третей главе
Глава IV. ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ЭЛЕМЕНТЫ И ДРУГИЕ
ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ СТЕКЛООБРАЗНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
4.1. Переключающие элементы на основе системы
ваТеХ X РЬ, 8п, Т1
4.1.1. Эффект переключения в приборах на основе стеклообразных полупроводников.
4.1.2. Зависимость переключающих характеристик от конструкции элемента.
4.1.3. Влияние РЬ, 8п, Т1 на параметры переключающих элементов на основе системы ваТе
4.2. Разработка тонкопленочного полевого транзистора
на основе ХСП
4.2.1. Расчет геометрических размеров ТПТ
4.2.2. Расчет статических вольтамперных характеристик
4.3. Основные результаты и выводы по четвертой главе.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922