Ви є тут

Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi

Автор: 
Шаронова Лариса Васильевна
Тип роботи: 
Кандидатская
Рік: 
1984
Артикул:
325829
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ НЕИДЕАЛЬНЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ .
1.1. Основные определения.
1.2. Зонная диаграмма гетероперехода Ш
1.3. Пограничные состояния ПС в гетеропереходах III .
1.4. Гетеропереходы ГП i.
1.5. Гетеропереходы I ii .
1.6. Гетеропереходы ГП 3
1.7. Выводы.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Сведения о полупроводниках i,
, , I . 4
2.2. Технология ге те роструктур
2.3. Подготовка образцов к измерениям.
2.4. Особенности измерительных методик
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ.
3.1. Основные теоретические модели.
3.2. Результаты эксперимента ВАХ и X
3.3. Анализ эксперимента
3.3.1. Механизм тока в гетероструктурах
1 и i
3.3.2. Зонные диаграммы гетеропереходов ГП
и .
3.4. Выводы. III
ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ИЗ
4.1. Общие представления. ИЗ
4.2. Спектральные характеристики гетероструктур ii и iii. П
4.3. Фотоэлектрические явления в гетеропереходах
гпi и i
4.4. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ