Оглавление
Введение.................................................................5
Глава 1. Анализ физических основ электрических методов исследования энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых микро- и наноструктурах............................................12
1.1. Метод С-У - характеристик......................................14
1.1.1. Физические основы метода С-У - характеристик.............14
1.1.2. Применение метода С-Г-характеристик для исследования свойств наноструктур.............................................18
1.2. Метод температурной спектроскопии адмиттанса...................22
1.2.1. Физические основы комплексной проводимости полупроводников..................................................22
1.2.2. Зависимость СУ и СУ от температу ры и частоты.............28
1.2.3. Определение величин разрывов разрешенных энергетических зон в гетеропереходе динамическими методами адмиттанса.......................................................30
1.3. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней..................31
1.3.1. Физические основы релаксационной спектроскопии глубоких уровней.................................................31
1.3.2. Емкостная РСГУ............................................39
1.3.3. Токовая РСГУ..............................................54
1.3.4. Особенности применения РСГУ для изучения барьерных структур с квантовыми ямами, точками.............................56
1.3.5. РСГУ с преобразованием Лапласа............................62
1.4. Метод спектроскопии НЧ-шума....................................63
Выводы..............................................................67
Глава 2. Разработка физических основ метода исследования
электронных состояний в полупроводниковых наногетероструктурах 68
2.1. Обоснование выбора метода локального исследования энергетического спектра электронных состояний.......................68
2
2.2. Анализ распределения электрического потенциала в точечном барьерном контакте...................................................71
2.3. Разработка физической модели релаксации тока через точечный барьерный контакт....................................................74
2.4. Анализ условий проведения эксперимента.............................78
2.5. Описание структурной схемы измерительной установки.................79
2.6. Погрешность определения энергии ионизации ГУ по наклону
прямой Аррениуса........................................................81
Выводы..................................................................83
Глава 3. Исследование процессов эмиссии носителей заряда в манометровой области в структурах на основе ZnCdS/ZnSSe с КЯ и Сс&е/гпБе с КТ........................................................84
3.1. Обоснование выбора образцов........................................84
3.2. Исследование образцов СбБе^пЗе с квантовыми точками................86
3.2.1. Описание образцов Сс18е/^п8е с квантовыми точками............86
3.2.2. Анализ спектров катодолюминесценции гетероструктур СбБе/г^е с КТ.......................................................87
3.2.3. Спектры токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней наногетероструктур на основе Сс18е^п8е с КГ.................92
3.2.4. Исследование процессов эмиссии электронов из квантовых точек в гетероструктуре СбЗе^пВе методом локальной токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней.......................95
3.3. Исследование наноструктур Zn^Cd|.xS/ZnS^Se|.y с КЯ................101
3.3.1. Описание образцов 2пхСс1|.х$/2|гёу$е|.у с КЯ................101
3.3.2. Анализ спектров катодолюминесценции наноструктур Zno.4Cdo.eS/ZnSo.06Seo.94..........................................103
3.3.3. Исследование энергетического спектра носителей заряда в гетероструктуре 2пхСб|.х5/2п5ч$ем методом ТРСГУ....................105
3.3.4. Исследование процессов эмиссии электронов из квантовой
ямы в гетероструктуре ZnCdS/ZnSSe в манометровой области 109
3
3.3.5. Расчет положений уровней размерного квантования.
Определение разрыва зоны проводимости........................I 10
Выводы...........................................................113
Глава 4. Исследование электронных состояний в полупроводниковых структурах 1пСаАв/СаА5 с квантовыми ямами..........................1 14
4.1. Обоснование выбора образца..................................1 14
4.2. Описание образца ГпСаАз/СаАБ с квантовыми ямами.............115
4.3. Спектры фотолюминесценции и их анализ.......................116
4.4. Вольт-емкостное профилирование структуры 1пОаАз/СаА8 с квантовыми ямами..............................................119
4.5. Исследование процессов эмиссии носителей заряда в структуре 1пОаАз/ОаАв с квантовыми ямами методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней................................123
4.6. Разви тие метода спектроскопии низкочастотных шумов для применения к наноструктурам...................................124
4.6.1. Фундаментальные основы спектроскопии низкочастотных шумов в применении к наноструктурам....................124
4.6.2. Экспериментальные исследования структуры с квантовыми ямами методом спектроскопии низкочастотных шумов.......128
4.6.3. Оценка систематической погрешности определения АЕ, методом спектроскопии НЧ-шумов.........................137
4.7. Определение величины разрыва зоны проводимости в К Я
структуры 1пСаА5/СаА5............................................137
Выводы...........................................................143
Заключение..........................................................144
Список литературы...................................................146
4
Введение
В последние десятилетия наблюдается интенсивное развитие полупроводниковых нанотехнологий. Наноразмерные структуры нашли широкое практическое применение в качестве активной области для лазерных излучателей, оптических усилителей, модуляторов светового излучения, устройств памяти и др.
Функционирование приборов наноэлектроники, активной областью которых являются полупроводниковые гетероструктуры, содержащие квантовые ямы (КЯ) и квантовые точки (КТ), основано на сложных физических явлениях, связанных с размерным квантованием носителей заряда и статистической природой распределения геометрических размеров нанообъектов. Для изучения свойств таких структур требуются использование новейших разработок в области измерительного и диагностического оборудования, а также совершенствование экспериментальных методик и соответствующего математического аппарата для обработки и интерпретации результатов измерений.
Широкое распространение получили методы визуализации нанообъектов с использованием электронной, сканирующей зондовой микроскопии [1]. Однако важнейшими параметрами наноструктур являются: распределение концентрации легирующей примеси и основных носителей заряда, положение энергетических уровней размерного квантования, качество гетерограниц, величины разрывов разрешенных энергетических зон на гетерогранице. Дня исследования глубоких уровней в полупроводниковых барьерных микро- и наноструктурах широко применяются электрические методы, такие как спектроскопия адмиттанса, метод вольт-фарадных характеристик [2], релаксационная спектроскопия глубоких уровней (РСГУ) [3], спектроскопия низкочастотных (НЧ) шумов [4].
К недостаткам метода спектроскопии адмиттанса следует отнести
меньшую по сравнению с РСГУ чувствительность по концентрации ГУ и
большую погрешность определения энергии ионизации ГУ из-за
5
необходимости проведения в ряде случаев модельных расчетов [5, 6|. Спектроскопия НЧ-шумов на сегодняшний день имеет достаточно ограниченное применение для исследования полупроводниковых наноструктур из-за сложностей проведения эксперимента [7]. Кроме этого, отсутствует математическая модель, связывающая концентрацию дефектов с ГУ с параметрами спектра НЧ-шумов. Однако спектроскопия НЧ-шумов имеет ряд преимуществ, например не требует использования образцов с обязательным наличием барьерного контакта. В связи с этим развитие метода спектроскопии НЧ-шума для исследования электрофизических свойств полупроводниковых наноструктур является актуальной задачей.
Наиболее предпочтительным среди перечисленных методов следует считать метод РСГУ. Достоинствами РСГУ-метода являются высокая чувствительность по концентрации детектируемых дефектов с глубокими уровнями /V, (И/Ит = 10'7 ... 10'5, где - концентрация мелкой легирующей примеси), возможность независимого определения энергии ионизации глубокого уровня (ГУ) и сечения захвата (СЗ) носителей заряда (ИЗ), высокая разрешающая способность по энергии ионизации ГУ, наглядность измерений и обработки спектров [8]. Токовый вариант РСГУ (ТРСГУ) обладает большей чувствительностью по концентрации дефектов с ГУ по сравнению с традиционным - емкостным вариантом РСГУ. Кроме того, метод РСГУ, в котором изучается температурная зависимость релаксации емкости барьерной структуры, не пригоден для исследования высокоомных полупроводниковых барьерных структур [9].
Перечисленные выше известные электрические методы исследования наноструктур рассчитаны на изучение образцов с макроконтактами, т.е. позволяют получать информацию, усредненную по области наблюдения, определяемую площадью барьерного или омического контакта, которая значительно превышает характерные латеральные масштабы в наноструктуре -размеры квантовых точек, протяженность неоднородностей толщины и областей
с различным составом твердого раствора материала квантовой ямы и т.д.
6
По мере развития наноэлектроники появилась необходимость исследования энергетического спектра электронных состояний в отдельных нанообъектах или их небольших группах. Для обнаружения нанообъекта или соответствующей малой области для исследования и формирования контакта можно использовать атомно-силовой микроскоп и его проводящий зонд, который можно подключить к РСГУ-спектрометру [10]. Разработка физических основ такого метода исследования, основанного на совместном использовании техники АСМ и РСГУ, является актуальной задачей. Релаксационная спектроскопия совместно с атомно-силовой микроскопией позволит определять основные электронные свойства полупроводниковых наноструктур, а именно: энергии активации процессов эмиссии и захвата носителей заряда на основные уровни размерного квантования, величины разрывов разрешенных энергетических зон на гетерограницах, макро- и микронеоднородности распределения указанных величин и т.д.
Полупроводниковые соединения А2В6 относятся к одним из основных материалов для оптоэлектронных применений и наноэлектроники [И, 12]. Однако до сих пор для ряда гетероструктур на основе селенидов, сульфидов цинка, кадмия с квантовыми ямами и точками отсутствуют надежные данные об особенностях зонных диаірамм, а именно о величинах разрывов валентной зоны и зоны проводимости. Изучение электрофизических свойств указанных структур также является актуальной задачей микро- и наноэлектроники.
Цель диссертационной работы - исследование электрофизических свойств полупроводниковых наногетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками с учетом квантово-размерных эффектов и развитие методов диагностики на основе токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов.
Основные задачи
1. Анализ существующих методов исследования электронных
состояний в полупроводниковых микро- и наноструктурах.
7
2. Вывод основных математических соотношений, учитывающих конфигурацию барьерного контакта и исследуемой полупроводниковой микро- или наноструктуры, для метода исследования энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых наногетероструктурах, основанного на совместном использовании токовой релаксационной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии (АСМ).
3. Исследование энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми точками, величин разрывов разрешенных энергетических зон в наноструктурах с квантовой ямой, изучение распределения этих величин вдоль поверхности образцов, параллельной слою, образующему квантовую яму, при формировании точечного барьерного контакта с размерами <100 нм с помощью метода, основанного на совместном использовании ТРСГУ и АСМ.
4. Изучение величин разрывов разрешенных энергетических зон в полупроводниковых наногетероструктурах с квантовой ямой методом спектроскопии НЧ-шумов.
Основными объектами исследований являлись полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми ямами (КЯ) на основе систем 1пСаА5/СаЛз, ZnCdS/ZnSSe и гетероструктуры с квантовыми точками (КТ) на основе системы Сс1ВеА£п$е, выращенные либо методом эпитаксии из молекулярных пучков (МПЭ), либо методом парофазной эпитаксии из металлорганических соединений (ПФЭМОС).
Научная новизна представленных в работе результатов заключается в следующем:
1. Впервые предложен способ исследования энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых наногетероструктурах, а именно в их областях, размеры которых находятся в нанометровом диапазоне, основанный на изучении температурной зависимости релаксации электрического тока через структуру при совместном использовании токовой
8
релаксационной спектроскопии глубоких уровней и атомно-силовой
микроскопии.
2. Получены математические соотношения, описывающие переходный процесс релаксации тока при опустошении энергетических уровней в полупроводниковой структуре с точечным барьерным контактом. Математические соотношения описывают релаксацию тока в структурах с квантовыми ямами или квантовыми точками.
3. Экспериментально определена энергия активации процесса эмиссии электронов из квантовых точек в структуре СбЗе^пБе по температурной зависимости релаксации тока через структуру с помощью метода, основанного на совместном использовании ТРСГУ и АСМ.
4. Впервые экспериментально обнаружена флуктуация величины разрыва зоны проводимости вдоль слоя, образующего квантовую яму в гетероструктуре Zno.4Cdo.6S/ZnSo.O6Seo.94j С помощью совместного использования токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и атомно-силовой микроскопии (локальной токовой релаксационной спектроскопии).
5. Впервые определена энергия активации процесса эмиссии носителей заряда с основного уровня размерного квантования методом спектроскопии НЧ-шумов и рассчитана величина разрыва зоны проводимости в гетероструктуре Ino.22Gao.78As/GaAs.
Положения и результаты, выносимые на защиту
1. Математические соотношения, учитывающие конфигурацию барьерного контакта и исследуемой полупроводниковой микро- или наноструктуры в комбинированном методе токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и атомно-силовой микроскопии.
2. Способ локального измерения энергетического спектра электронных состояний, основанный на совместном использовании токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и атомно-силовой
9
микроскопии, который позволяет определять распределение величины энергии активации носителей заряда по поверхности образца.
3. Результаты измерения разрыва зоны проводимости в структуре 1по22Сао78Аь/СаА5 с квантовой ямой, полученные методом спектроскопии НЧ-шумов с учетом эффектов Пула - Френкеля и туннелирования.
Достоверность научных результатов работы обеспечивается использованием общепринятого математического аппарата физики полупроводников и подтверждается совпадением с результатами исследований, полученных независимыми методами: фото- и
катодолюминесценции, токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней, спектроскопии НЧ-шумов.
Практическая значимость работы заключается в следующем:
- развиты методы РСГУ и АСМ, углублены существующие представления о физических процессах, происходящих в полупроводниковых наногетероструктурах, представляющих определенные перспективы для применения в опто- и наноэлектронике;
- разработан метод локального исследования энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых наногетерострукгурах и объектах, имеющих размеры манометрового диапазона, который позволяет определять основные параметры их зонных диаграмм или электронного спектра;
- разработан способ расчета величин разрывов разрешенных зон в структурах с квантовыми ямами по спектру релаксационной спектроскопии глубоких уровней, учитывающий эффект туннелирования носителей заряда сквозь потенциальный барьер треугольной формы;
- экспериментально определены величины разрывов разрешенных зон в наногетероструктурах Ino.22Gao7.sAs/GaAs, Zno.4Cdo.6S/ZnSo.06Seo.94 с квантовыми ямами и значения энергии активации электронов с основного уровня размерного квантования в квантовой точке в структурах Сб8е/2п$е.
Апробация. Основные результаты диссертационной работы
10
докладывались и обсуждались на XII международной конференции «Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты» (г. Алушта, 2008), X, XI, XII международных конференциях «Опто-, наноэлекфоника, нанотехнологии и микросистемы» (г. Ульяновск, 2008, 2009, 2010), III международной конференции «Физика электронных материалов - ФИЭМ’08» (г. Калуга, 2008), VII международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (г. Санкт-Петербург, 2010), I и II Всероссийских школах-семинарах студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноинженерия» (г. Москва, г. Калуга; 2008, 2009), I и III Всероссийских школах-семинарах студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноматериалы» (г. Рязань, 2008, 2010), Всероссийской школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур» (г. Рязань, 2011), 14th and 15,h International Conference on II-VI Compounds (Санкт - Петербург, 2009; Cancun, Mexico, 2011).
Публикации. Основные результаты опубликованы в 36 научных работах, из них 6 статей (по специальности) в журналах из списка ВАК, 1 статья в зарубежном журнале, 6 статей в других изданиях, 21 тезисов докладов на российских и международных конференциях, 1 патент, 1 свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ.
Структура и объем диссертации
Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 105 наименований. Диссертация изложена на 157 страницах машинописного текста, содержит 13 таблиц и 61 рисунок.
Внедрение результатов
Полученные экспериментальные результаты использованы при подготовке отчетов о научно-исследовательских работах НИР13-09Г, 26-09; в учебном процессе: в лекционных материалах по дисциплине «Методы исследования материалов и структур электроники».
Глава 1. Анализ физических основ электрических методов исследования энергетического спектра электронных состояний в полупроводниковых мнкро- и наноструктурах
В полупроводниковых материалах практически всегда присутствуют дефекты, образующие глубокие уровни в запрещенной зоне, называемые также глубокими центрами (ГЦ). К глубоким центрам относят дефекты кристаллической решетки, атомы примесей, радиационные дефекты и дефекты термообработки.
Влияние глубоких ловушек на электрофизические свойства полупроводников заключается в том, что они действуют как рекомбинационные ловушки либо как ловушки захвата для свободных носителей заряда. В первом случае это приводит к резкому уменьшению времени жизни и диффузионной длины неосновных носителей заряда (НЗ), что влияет на различные характеристики полупроводниковых приборов. Одно из наиболее важных проявлений влияния глубоких уровней как безызлучагельных рекомбинационных ловушек состоит в уменьшении эффективности излучения в светодиодах и лазерах. Как ловушки захвата глубокие уровни влияют на эффекты накопления заряда [13].
Контролируемое введение глубоких ловушек в ряде случаев придает полупроводниковым материалам и приборам нужные свойства. Примером этого может служить легирование арсенида галлия хромом с целью получения полуизолирующего материала или введение примеси золота в кремний для уменьшения времени жизни носителей заряда при производстве быстродействующих диодов и тиристоров.
Тот факт, что с глубокими ловушками связаны как желательные, так и нежелательные эффекты, указывает на важность понимания их свойств, необходимость контроля их наличия или возникновения в процессе производства полупроводниковых приборов. Поэтому исследование свойств глубоких ловушек и их идентификация как примесных атомов или дефектов
12
являются одним из важных направлений современной физики полупроводников [13].
Подобно ловушкам с глубокими уровнями ведут себя КЯ и КТ в составе полупроводниковых нашогетероструктур, получивших широкое практическое применение в последнее время. В наноструктурах движение носителей заряда ограничено в одном или более направлениях, что ведет к кардинальному изменению энергетического спектра носителей заряда и возникновению целого ряда новых физических явлений.
Полупроводниковые наноструктуры используются для производства оптоэлектронных приборов, работающих в диапазоне от далекой инфракрасной до ультрафиолетовой областей спектра. Наиболее распространенными с точки зрения практического использования являются гетероструктуры на основе соединений А',В3. Хорошими перспективами для оптоэлектронных применений обладают широкозонные соединения типа А2Вб, имеющие ряд ценных свойств, таких как высокая фоточувствительность, большая вероятность излучательной рекомбинации при наличии прямых оптических переходов, высокий квантовый выход фотолюминесценции, большая энергия связи свободных экситонов по сравнению с соединениями А3В5 [14].
Для исследования таких параметров глубоких уровней, как энергия ионизации, концентрация, сечение захвата, применяются методы: вольт-амперных и вольт-фарадных (С-V) характеристик, термостимулированной емкости, термостимулированного тока, спектроскопии адмиттанса, релаксационной спектроскопии глубоких уровней, спектроскопии 114-шумов. Так как КЯ и КТ можно формально считать гигантскими ловушками, то данные электрические методы могут быть использованы для определения основных параметров зонных диаграмм: значений энергий активации эмиссии НЗ, величин разрывов разрешенных энергетических зон, положений уровней размерного квантования, величины потенциального барьера для захвата НЗ в яму или точку, возникающего вследствие наличия пограничного
- Київ+380960830922