Ви є тут

Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов

Автор: 

Гасымов Шафаг Гусейн оглы

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1984

Артикул:

452753

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур
• Распространение и локализация света в фотонных микроструктурах
• Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: ? =0,78 - 1,3 мкм
• Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
• Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
• Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов
• Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te
• Емкостная спектроскопия карбида кремния
• Акустические и упругие свойства твердых многокомпонентных диэлектриков
• Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм