ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ЭЛЕКТРО ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ СйхЩихТе И ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ НА ИХ ОСНОВЕ
Литературный обзор
1Л. Свойства твердых растворов СсНТе
1.1.1. Зонная структура СсТе
1.1.2.Ширина запрещенной зоны.
1.1.3.Эффективные массы носителей.
1.1.4.Концентрация носителей в зонах
1.1.5. Время жизни носителей заряда.
1.1.6. Подвижность носителей заряда в СсЕТе.
1.2 Основные характеристики фотодиодов на основе
1.2.1 .Технология изготовления фотодиодов.
1.2.2.Вольтамперные характеристики диодов на основе СсТе.
1.2.3. Токи утечки по поверхности.
1.2.4.0бнаружительная способность фотодиодов на
основе Сс1НТе.
1.3. Основные результаты, полученные по исследованию характеристик диодов на основе Сс1НТе и их деградации при механических и температурных воздействиях
ГЛАВА II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Технология изготовления пр переходов на основе СсИТе
2.1.1. Технология изготовления пр переходов на основе объемных кристаллов СсШТе
2.1.2. Технология изготовления пр переходов на гетероэпитаксиальных пленках Сс1НТе
2.2. Экспериментальные методы исследования границы раздела СЕТе 8ЮЫ4.
2.2.1. Эллипсометрический метод.
2.2.2. Массспектрометрия вторичных ионов
2.2.3. Методика электрофизических измерений
МДП структур5
2.2.4.Методика измерений электрофизических параметров диодов
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ пр ПЕРЕХОДОВ,
ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ
i,
ВВЕДЕНИЕ.
3.1. Исследование пр переходов, полученных методом термодиффузии ртути из анодного окисла на
подложках МЛЭСбТе ртипа
Заключение.
3.2. Расчет энергетической диаграммы перехода и
определение энергетического уровня ловушки.
3.2.1. Расчет зависимости положения уровня Ферми
от температуры.
3.2.2. Расчет зависимости концентрации основных и неосновных носителей в р и п типе Сс1НТе
от температуры.
3.2.3. Расчет энергетический диаграммы пр перехода и определение энергетического уровня ловушки
Заключение
3.3. Влияние давления на характеристики прпереходов,
изготовленных на пленках МЛЭ Сс1НТе
Заключение
у 3.4. Исследование диодов, изготовленных на
гетероэпитаксиальных пленках С1НТе с различной
л концентрацией акцепторов
Заключение.
3.5. Выводы главы III.
ГЛАВА VI. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК пр ПЕРЕХОДОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛАХ С6НТе.
ВВЕДЕНИЕ
4.1. Исследование характеристик пр переходов,
изготовленных на основе бъмнг1
Заключение.
4.2. Влияние температурных воздействий на параметры
границы раздела Сс1ЬТе ЗЮгз.
Заключение.
4.3. Влияние температурного воздействия на параметры п
р переходов, изготовленных на объемных кристаллах
Заключение
4.4. Выводы главы VI
ГЛАВА V. ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922