Оглавление
Введение
1 Формирование гетероструктур СеБ1 с квантовыми точками
1.1. Механизмы формирования трехмерных
островков в процессе гетероэпитаксии .
1.2. Морфологические перестройки в системе ОеБ
1.3. Выбор условий синтеза плотных слоев
квантовых точек малого размера .
1.4. Микроскопические исследования структуры
слоев Се1
1.5. Спектроскопия растянутой тонкой структуры рентгеновского поглощения
1.6. Рсзерфордовское обратное рассеяние
1.7. Комбинационное рассеяние света .
1.8. Фотолюминесценция.
Выводы к Главе 1
2 Исследование энергетического спектра в массивах квантовых точек методами электронной спектроскопии
2.1. Резонансное туннелирование в
двухбарьерных структурах
ОГЛАВЛЕНИЕ
2.2. Емкостная туннельная спектроскопия
2.3. Инжекционные токи и многослойных
структурах с квантовыми точками.
2.4. Проводимость на переменном токе и динамика перезарядки квантовых точек .
Выводы к Главе 2
3 Экситонное поглощение света и межзониая фотопроводимость
3.1. Экситоны в квантовых точках.
3.2. Модуляция заполнения уровней в квантовых точках .
3.3. Спектры экситонного поглощения света
при различном смещении
3.4. Взаимодействие экситона с дыркой
3.5. Взаимодействие двух экситонов.
3.6. Теоретический анализ спектра и электронной конфигурации экситонов.
3.7. Фотопроводимость ррп диода с перестраиваемой спектральной чувствительностью
3.8. Отрицательная межзонная фотопроводимость
Выводы к Главе 3
4 Электронэлектронное взаимодействие в процессах межуровневых оптических
переходов
4.1. Влияние меж электронного взаимодействия на энергию
И К резонанса в квантовых долинах и точках .
4.2. Метод фотоиндуцированного поглощения
4.3. Эффект деполяризации в массиве
квантовых точек.
ОГЛАВЛЕНИЕ
4.4. Фотопроводимость в области межуровневых
переходов.
4.5. Сравнение параметров фоточувствительных структур с квантовыми точками на основе соединений А3 В5 и i .
Выводы к Главе 4
5 Прыжковая проводимость вдоль слоев
квантовых точек
5.1. Прыжковая проводимость в неупорядоченных
системах .
5.2. Прыжковая проводимость по примесной
зоне в структурах с квантовыми точками .
5.3. Осцилляции прыжковой проводимости
по квантовым точкам.
5.4. Температурная зависимость амплитуды осцилляций проводимости в МОП
транзисторе с квантовыми точками
5.5. МОП транзистор с полосковым затвором
5.6. Экранирование кулоновского взаимодействия между квантовыми точками.
5.7. Универсальный е2к префактор прыжковой проводимости.
Выводы к Главе 5
6 Иерархия энергий в плотных массивах
квантовых точек
6.1. Энергия взаимодействия между точками
6.2. Энергетический спектр дырок в массиве
квантовых точек i.
ОГЛАВЛЕНИЕ
6.3. Возможная роль структурных дефектов
Выводы к Главе 6
Заключение
Список публикаций по теме диссертации
Список литературы
- Київ+380960830922