- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
237
Артикул:
181643 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута
- Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии
- Формирование и свойства наногетероструктур на основе кремния и дисилицида железа
- Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
- К теории эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в двумерных полупроводниковых структурах
- Магнитооптические эффекты в полупроводниковых наноструктурах с примесными центрами атомного и молекулярного типа
- Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
- Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов
- Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si