- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
237
Артикул:
181643 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых ?-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
- Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
- Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
- Перестраиваемые одномерные фотонные кристаллы на основе щелевого кремния и жидкокристаллического наполнителя
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
- Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек
- Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
- Исследование границы раздела и приповерхностных слоев полупроводника в системах электролит-полупроводник с помощью емкостных методов
- Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка