Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения

Содержание
Перечень условных обозначений и сокращений.
Введение .
Глава 1. Материалы и структуры для детектирования УФ излучения состояние вопроса
1.1. Детектирование УФ излучения
1.1.1. Актуальность проблемы детектирования УФ излучения
1.1.2. Полупроводниковые фотоприемники УФ излучения.
1.2. Свойства и получение пленок аморфного гидрогенизированпого кремния
1.2.2. Свойства пленок i
1.2.2. Получение аморфных и микрокристаллических пленок гидрогенизированного кремния
1.3. Пленки нитрида алюмицЪвойства и получение
1.3.1. Свойства пленок 1 .
1.3.2. Получение пленок 1.
Основные выводы и постановка задачи
Глава 2. Получение, структу ра и свойства пленок i
2.1. Технология получения пленок i и модифицирование их структу ры
2.1.1. Технологический комплекс и его модернизация для получения
пленок i
2.1.2. Получение пленок i методом плазмохимического осаждения .
2.1.3. Циклический метод осаждения пленок i с промежуточной обработкой в водородной плазме
2.2. Свойства пленок i, содержащих нанокристаллическйе включения
2.3. Влияние термообработки на структуру и свойства пленок 5i.
Глава 3. Пленки нитрида алюминия для селективных приемников УФ излучения
3.1. Технология получения пленок 1
3.2. Структурные свойства пленок 1.
3.3. Электрофизические свойства пленок 1.
Глава 4. Фотоприемные структуры
4.1. Конструкция и технология формирования фотоприемных структур.
4.1.1. Формирование барьера Шоттки
4.1.2. Формирование невыпрямляющих контактов
4.2. Свойства фотоприемных структур и их применение.
4.2.1. Фотоприемные структуры на i.
4.2.2. Фотоприемные структуры на 1
Заключение ..Л
Литература