Ви є тут

Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н

Автор: 

Лигачев Валерий Алексеевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206242

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
• Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
• Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников
• Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
• Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
• Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром
• Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах
• Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
• Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения
• Трехчастичные электрон-дырочные комплексы в квантоворазмерных гетероструктурах