СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА Г ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Аккумуляционный слой на поверхности
полупроводников
1.2. Атомная структура и электронные свойства
, 7Ix,.x и x,.x
1.3. Теоретические и экспериментальные исследования
электронной структуры
1.4. Адсорбция на поверхности и
1.5. Фотоэмнссионные методы исследования электронной
структуры полупроводников
1.6. Выводы и постановка задачи
ГЛАВА II МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Пороговая фогоэмиссионная спектроскопия.
Экспериментальная установка
2.2. Пороговая фогоэмиссионная спектроскопия.
2.3. Методика фотоэмиссионных измерений.
2.4. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия. Экспериментальная установка и методика исследований
2.5. Характеризация образцов , я1п0 .9,
.. .
2.6. Методика определения концентрации адсорбированных атомов
ГЛАВА III ПОРОГОВАЯ ФОТОЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА I.i.9, i И
3.1. Спектры пороговой фотоэмиссии границы раздела I.,.9
3.2. Спектры пороговой фотоэмиссии границы раздела С57СаМ.
3.3. Спектры пороговой фотоэмиссии границы раздела ВаяСаМ.
3.4. Формирование аккумуляционного слоя для границ раздела С5л1по.,Оао.9М, Св7СаМ и Ва7ОаЫ.
3.5. Расчет матричных элементов фотоэмиссии из аккумуляционного слоя для границ раздела СянПо.Са9.9Н, Сз7СаМ и Ва7СаЫ
3.6. Поверхностные состояния границ раздела С8лОаМ и ВапСаМ
3.7. Осцилляционная структура в спектрах пороговой фотоэмиссии границ раздела Сбино ,Сао.9Х, СэлСтаТООО и ВанСаП
3.8. Заключение .
ГЛАВА IV УЛЬТРАФИОЛЕТОВАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ
СПЕКТРОСКОПИЯ 7ОаЫ, пА1о.бОа0.4 И ГРАНИЦ РАЗДЕЛА ВаиСа, ВаА.,бОа0.Н
4.1. Спектры нормальной фотоэмиссии ОаЫ и границы
раздела ВаОаК
4.2. Спектры нормальной фотоэмиссии 7А г,Оа и
границы раздела Ва7А.бСта0.8 Н
4.3. Заключение
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ .
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА .
СПИСОК ЦИТИРОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ