Ви є тут

Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой

Автор: 

Смирнов Валерий Михайлович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

170

Артикул:

1000294915

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe
• Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe
• Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
• Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
• Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
• Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
• Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика
• Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
• Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках
• Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник