Ви є тут

Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой

Автор: 

Смирнов Валерий Михайлович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

170

Артикул:

1000294915

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (l=2-5 мкм)
• Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками
• Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
• Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
• Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
• Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
• Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2
• Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами
• Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
• Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники