Ви є тут

Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой

Автор: 

Смирнов Валерий Михайлович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

170

Артикул:

1000294915

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Нелинейные процессы и самоорганизация диссипативных структур в системах полупроводник - газоразрядный промежуток
• Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером
• Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
• Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
• Електролюмінесценція та енергетичний спектр дефектів тонкоплівкових планарних і торцевих ZnS:Er,F- і ZnS:Cr-структур
• Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
• Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига
• Инжекционные полупроводниковые лазеры со спектрально-селективными потерями и спектрально-зависимым фактором оптического ограничения
• Экспериментальные методы исследования характеристик гетероструктурных солнечных элементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения
• Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ