Ви є тут

Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой

Автор: 

Смирнов Валерий Михайлович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

170

Артикул:

1000294915

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита
• Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена
• Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
• Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерном электронном газе
• Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
• Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
• Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
• Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
• Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур
• Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках