- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
2187
Артикул:
7535 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота
- Электрические и фотоэлектрические эффекты в кристаллах CdS, связанные с наличием подвижных и метастабильных центров
- Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей
- Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах
- Разработка физических основ применения ионно-стимулированных процессов для синтеза и модификации оптических материалов
- Омические контакты металл-карбид кремния
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых δ-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала