- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2004
Кількість сторінок:
135
Артикул:
136653 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта \"усталости\" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией
- Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении
- Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111)
- Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии
- Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе Z-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5