- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2005
Кількість сторінок:
215
Артикул:
136692 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов
- Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О
- Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник
- Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
- Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
- Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза
- Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3