- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2005
Кількість сторінок:
215
Артикул:
136692 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
- Транспортные свойства гетероструктур на основе магнитных полупроводников
- Исследование эффектов пространственной неоднородности накачки и оптического поля в полосковых инжекционных лазерах и полупроводниковых оптических усилителях
- Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
- Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
- Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера
- Низькочастотна діелектрична поляризація кристалів селенідів індію та галію
- Поверхностные упругие, магнитостатические и магнитоупругие волновые процессы в неоднородных твердых телах
- Поля дефектов и форма резонансных линий
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта \"усталости\" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках