- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2005
Кількість сторінок:
215
Артикул:
136692 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
- Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
- Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
- Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
- Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
- Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
- Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений
- Структурные микронеоднородности и междоменное взаимодействие в оксидных ферримагнитных средах
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe