- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Тип работы:
кандидатская
Год:
2005
Количество страниц:
215
Артикул:
136692 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур
- Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ
- Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге
- Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
- Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О
- Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена
- Лазер на межподзонных переходах горячих дырок и его применение для исследования полупроводников и наноструктур
- Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
- Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (?=1.6-1.85 мкм
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта усталости ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках