Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена

Содержание страница
Введение
Глава 1. Электронные свойства и структура поверхности ваАз
и границ раздела в гетероструктурах на основе СаАэ
1.1. Реконструкция и релаксация поверхности полупроводников
1.2. Пассивация поверхности арсенида галлия
1.3. Процессы, происходящие на поверхности арсенида галлия при ее обработке халькогенами
Глава 2. Формирование гетероструктур на основе ОаАз
обработкой в парах селена
2.1 Обработка поверхности ваАв в парах селена и
формирование гетероструктур ОагЭезОаАз
2.2. Электронографический анализ поверхности СаАз, обработанной в парах селена и гетерограницы
ОагЭезОаАз
Глава 3. Электрические свойства гетероструктур на основе
арсенида галлия, полуенных обработкой в парах селена.
3.1. Вольтамперные характеристики
3.2. Вольтфарадные характеристики
3.3. Энергетический спектр электронных состояний в системах на основе ваАв, обработанного в парах селена.
Глава 4. Пассивация поверхности арсенида галлия
слоем селенида галлия
4.1. Реконструирование поверхности
арсенида галлия после обработки ее в парах селена
4.2. Пассивирующее воздействие обработок
поверхности в парах селена и селена с мышьяком
Основные результаты и выводы
Список литературы