Ви є тут

Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах

Автор: 
Буравлев Алексей Дмитриевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2002
Кількість сторінок: 
227
Артикул:
136346
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Оглавление.
Введение.
Глава 1. Локализация и баллистичекий транспорт носителей тока
в полупроводниковых наноструктурах
1.1.изкоразмерные полупроводниковые структуры.
1.2. Локализация и транспорт баллистических носителей тока
в квантовых ямах
1.3. Квантованная проводимость полупроводниковых квантовых проволок
1.4. Одноэлекгронная перезарядка квантовых точек
1.4.1. Многоэлектронные искусственные атомы
1.4.2 Малоэлектронные искусственные атомы
1.4.3. Эффект Кондо в квантовых точках.
1.4.4. Эффект Фано в квантовых точках
Постановка задачи
Глава 2. Электрические и магнитные свойства самоуиоридоченных
кремниевых квантовых ям.
2.1. Сверхмелкие диффузионные профили бора
на поверхности кремния 0
2.2. Идентификация самоупорядоченных кремниевых квантовых ям
2.2.1. Циклотронный резонанс в монокристаллическом кремнии.
2.2.2. Методика исследования ЦР в сверхмелких профилях бора
на поверхности 0.
2.2.3. Угловые зависимости циклотронного резонанса электронов и дырок
в сверхмелких профилях бора на поверхности 0.
2.3. Сильнолегированные двумерные барьеры
2.3.1. Методика измерения статической магнитной восприимчивости
2.3.2. Магнитные свойства поверхности 0.
2.3.3. Магнитные свойства границы раздела .
2.3.4. Магнитные свойства барьеров
2.4. Локализация и переход металлдиэлектрик
в двумерном дырочном газе в кремниевых квантовых ямах
2.5. Слабая локализация в двумерном дырочном газе
в кремниевых квантовых ямах
Глава 3. Квантованная проводимость кремниевых наноструктур.
3.1. Квантованная проводимость
в кремниевых квантовых проволоках тина.
3.2. Квантованная проводимость
в кремниевых квантовых проволоках р типа
3.3. Квантованная проводимость при конечных температурах.
3.4. Тушение квантовых ступенек в продольном электрическом поле
3.5. Квантованная проводимость при разогреве баллистических носителей тока
в продольном электрическОхМ поле.
3.6. Квантованная проводимость в условиях интерференции
носителей тока в модулированных квантовых проволоках.
Глава 4. Локальная туннельная спектроскопия квантовых точек
4.1. Локальная туннельная спектроскопия многодырочных
кремниевых квантовых точек в режиме кулоновской блокады
4.2. Локальные туннельные ВАХ малоэлектронных
кремниевых квантовых точек.
4.3. Кремниевый транзистор на одиночных дырках.
4.4. Ячейка памяти на одиночных дырках.
Глава 5. Сачоупорядоченные микрорезонаторы, встроенные в свсрхмелкие
диффузионные профили бора в кремнии
5.1. Сканирующая туннельная микроскопия кремниевых нанопрсципитатов на поверхности сверхмелких диффузионных профилей бора в кремнии 0.
5.2. Оптические свойства самоупорядоченных нанопрсципитатов
на поверхности кремния 0.
Выводы.
Заключение
Литература