- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
83
Артикул:
181843 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта усталости ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Радиоэлектрический эффект в гетероструктурах карбид кремния на кремнии
- Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
- Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe: Tl и SnTe: In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах
- Герметичные модули для термопарных (ХА) кабелей гермовводов на основе стеклокристаллических и керамических материалов
- Транспортные процессы в полупроводниках с участием линейных и объемных дефектов
- Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур
- Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда