- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
83
Артикул:
181843 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах
- Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах
- Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
- Халькогениды элементов четвертой группы : Получение, исследование и применение
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
- Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок
- Разработка методики и изучение ультраакустических свойств расплавов полуметаллов и полупроводников
- Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза