- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
83
Артикул:
181843 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические свойства фотонных кристаллов и волноведущих структур на их основе
- Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия
- Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
- Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями
- Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов
- Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
- Резонансное одно- и двухфотонное взаимодействие света с экситонами в квантовых точках CdSe/ZnS
- Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP
- Транспортные свойства твердотельных электронных биллиардов