- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
83
Артикул:
181843 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии
- Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора
- Магнитокинетические явления в трехмерном и двумерном электронном газе в сплавах на основе теллурида ртути
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
- Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния
- Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями
- Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков
- Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
- Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов