- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
83
Артикул:
181843 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Магнитооптика и экситонное поглощение в тонких кристаллах и гетероструктурах на основе арсенида галлия
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута
- Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
- Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
- Поверхностные состояния и особенности электропроводности квазидвумерных электронных слоев в МДП- и гетеротранзисторах
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe: Tl и SnTe: In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
- Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами
- Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе
- Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца