- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7393 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
- Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях
- Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников
- Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
- Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек
- Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник
- Коллективные явления в проводимости квазиодномерных (пайерлсовских) и квазидвумерных сверхпроводящих кристаллов
- Электрозвуковые поверхностные волны в кристаллах с однородной нестационарностью свойств и равномерным движением границ
- Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями
- Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP2 , In x Ga1-x As и GaAs1-x Sb x