- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
217
Артикул:
135788 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках
- Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Дислокационные термоэлектрические и термомагнитные эффекты в щелочногалоидных кристаллах
- Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
- Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности
- Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения
- Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
- Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов
- Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями