- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
217
Артикул:
135788 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Полупроводниковые элементы интегральной оптики, полученные с использованием ионно-плазменного напыления
- Экситоны в низкоразмерных анизотропных структурах и магнитном поле
- ЭПР примесных центров и некоторые СВЧ характеристики слоистых кристаллов
- Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
- Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах
- Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
- Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
- Оптическая неоднородность кристаллов лангасита