- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
217
Артикул:
135788 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Квантовые точки I и II типа
- Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)N
- Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
- Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения
- Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках
- Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм
- Комплексообразование в кремнии, легированном селеном
- Теория резонансных фотонных кристаллов и квазикристаллов
- Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
- Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств