- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
217
Артикул:
135788 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Взаимодействие упругой, спиновой и магнитной подсистем в борате железа
- Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ
- Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
- Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe
- Магнитные фазовые переходы и физические свойства реальных материалов со сложной магнитной структурой
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs
- Разработка методики и изучение ультраакустических свойств расплавов полуметаллов и полупроводников
- Газовые сенсоры на основе пленок SnO(2-x) для \"Электронного носа\"
- ЭПР примесных центров и некоторые СВЧ характеристики слоистых кристаллов
- Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н