Содержание
Введение........................................................ 4
Глава 1. Аналитический обзор.
1.1 Поверхностные сверхструктуры и двумерные электронные системы............................................. 14
1.2 Формирование упорядоченных поверхностных фаз Fe
на Si(l 11)............................................. 16
1.3 Формирование упорядоченных поверхностных фаз Са
на Si(l 11)................................................. 25
1.4 Формирование упорядоченных поверхностных фаз Mg
на Si(l 11)................................................. 29
Глава 2. Методы исследования, аппаратура и методики расчетов.
2.1 Методы исследования поверхностных процессов.
2.1.1 Электронная оже-спектроскопия....................... 32
2.1.2 Спектроскопия характеристикческих потерь энергии электронами............................................... 40
2.1.3 Метод дифракции медленных электронов................ 45
2.1.4 Методы электрофизических измерений.................. 54
2.1.5 Оптическая спектроскопия полупроводников 56
2.1.6 Методы сканирующей зондовой микроскопии 58
2.2 Методики расчетов.
2.2.1 Расчет подвижности и концентрации носителей
заряда с использованием эффекта Холла..................... 62
2.2.2 Метод дифференциальной отражательной спектроскопии............................................. 65
2.2.2.1 Метод динамического эталона................... 67
2.2.2.2 Метод восстановленного эталона................ 71
2.3 Экспериментальная аппаратура.
2.3.1 Экспериментальная аппаратура для роста пленок и
электронной оже-спектросконии............................. 75
2
2.3.2 Аппаратура для роста пленок с установкой для прямого наблюдения картин дифракции медленных электронов и приставкой для измерения эффекта Холла.. 80
2.3.3 Аппаратура для роста пленок и исследований методом дифференциальной отражательной спектроскопии.................................................... 83
2.3.4 Спектральные приборы SPECORD 71 IR , МДР-3 и Hitachi U-3010............................................ 84
Глава 3. Определение механизма роста и исследование свойств тонких пленок железа на поверхностной фазе Si(l 11)-(2х2)- Fe.
3.1 Формирование поверхностной фазы Si(l 1 i)-(2x2)-Fe и
ее морфология........................................... 87
3.2 Транспортные свойства ПФ Si(l 1 l)-(2x2)-Fe...... 90
3.3 Морфология и электрические свойства слоев Fe, осажденных при комнатной температуре на ПФ
Si(i 11)-(2 х 2)-Fe..................................... 93
3.4 Оптические свойства образцов со сверхтонкими слоями железа на Si(l 11)7x7 и Si(l 1 l)-(2x2)-Fe.......... 99
Глава 4. Исследование формирования, электронной структуры, оптических, электрических свойств систем на основе тонких пленок Ca2Si на кремнии с использованием прекурсора 2D фазы Mg2Si или тонкой пленки силицида магния на кремнии.
4.1 Определение диапазона температурной стабильности пленки Mg2Si на Si(l 11)........................... 102
4.2 Осаждение Са на Si(l 11)7x7......................... 108
4.3 Осаждение Са на пленку Mg2Si на Si(l 11)............ 114
4.4 Исследование стадии роста пленки Ca2Si на 2D фазе Mg2Si на Si( 111)...........:.............................. 118
Основные результаты и выводы.................................... 128
Примечание...................................................... 130
Литература...................................................... 131
3
Введение
Важным объектом современной физики полупроводников являются системы пониженной размерности, создаваемые на атомно-чистых полупроводниковых поверхностях. Их исследование проводится в сверхвысоком вакууме методами физики поверхности. Особый интерес представляют ультратоикие пленки и многослойные пленочные структуры наноразмерной толщины. Это обусловлено тем, что указанные объекты обладают рядом уникальных свойств, нехарактерных для материалов в массивном состоянии, что вызывает большой интерес к ним со стороны, как исследователей, так и разработчиков микроэлектронной техники. По мере приближения размеров твердотельных структур к нанометровой области, все больше проявляются квантовые свойства электрона. В его поведении преобладающими становятся волновые закономерности, характерные для квантовых частиц, и это открывает перспективы создания принципиально новых переключающих, запоминающих, усиливающих элементов и других устройств для микроэлектроники.
Данная диссертационная работа посвящена исследованию формирования, параметров электронной структуры, оптических и полупроводниковых свойств систем на основе двумерных упорядоченных пленок железа (Fe) и силицида кальция (Ca2Si) на кремнии.
Особенностью подхода к формированию двумерных (2D) пленок силицидов металлов является использование стабильных поверхностных сверхструктур различных металлов на кремнии в качестве барьерных слоев или прекурсоров для создания сплошных пленок моноатомной толщины в условиях сверхвысокого вакуума.
Применение методов in situ исследования электронной структуры, оптических и полупроводниковых свойств формируемых тонких пленок, позволяет проводить исследования с высокой степенью детализации проходящих ростовых процессов. Выбор материалов для исследований • остановлен на использовании экологически чистых и недорогих материалов,
таких как железо, кальций и магний.
4
/ '
Актуальность темы диссертации
Полупроводниковые и металлические системы с пониженной размерностью (двумерные, одномерные и нульмерные) привлекают широкое внимание исследователей, как с точки зрения фундаментальных знаний, так и с практической точки зрения.
Фундаментальный интерес к подобным системам вызван проявлением в них новых свойств (оптических, электрических, магнитных и др.)? что связано с квантово-механическим ограничением электронов, фононов и других квазичастиц в таких системах и изменениями в электронной плотности состояний, электропроводности, теплопроводности, формировании магнитных свойств.
Практический аспект использования систем с пониженной размерностью состоит в создании датчиков различных физических величин, а также -принимающих или усиливающих устройств.
Известно, что на кремнии формируется термостабильная упорядоченная двумерная поверхностная фаза (ПФ) 51(111)-(2х2)-Ре, которая может быть использована в качестве ориентирующего барьера при формировании тонких слоев железа на 51(111), что очень актуально для решения задач спинтроники на кремнии. Эта ПФ может стать, также основой для эпитаксиального роста прямозонного полупроводникового силицида р-Ре5ь, который представляет значительный интерес для оптоэлектроники, поскольку ширина его запрещенной зоны (0.87эВ) близка к области прозрачности оптического волокна.
Силицид кальция (Са251) обладает полупроводниковыми свойствами, однако рост гомогенных пленок этого силицида, при непосредственном осаждении Са на 51(111), при температуре (реактивная эпитаксия) или отжигом пленки Са, осажденной при комнатной температуре (твердофазная эпитаксия), не возможен. Использование в качестве прекурсора другой силицидной фазы, такой как силицид магния (К^251), позволит создать сплошные пленки полупроводникового силицида кальция, которые могут быть использованы в целях разработки новых фото- и термоэлектрических приборов на кремнии.
5
Связь работы с крупными научными программами
С 2006 года в Российской академии наук (РАН) существует большая научно-исследовательская программа - "Квантовые наноструктуры", координатором которой является академик, лауреат Нобелевской премии Жорес Иванович Алферов. В рамках этой программы данная диссертационная работа является частью реализации исследовательских проектов Института автоматики и процессов управления (ИАГТУ) Дальневосточного отделения РАН (г. Владивосток) связанных с выше упомянутой программой, наиболее значимые из которых [1]:
1. Проект "Монолитные кремниевые гетеронаноструктуры на основе полупроводниковых силицидов: рост и приборные свойства". Руководитель - д.ф.-м.н., профессор Н.Г.Галкин. Поддержка - академик Ж.И. Алферов. Номер проекта - 09-1-П27-05 (2009-2011).
2. Инициативный проект РФФИ 07-02-00958_а. Руководитель - д.ф.-м.н., профессор Н.Г.Галкин (2007 -2009).
3. Инициативный проект РФФИ №. 10-02-00284_а Руководитель - д.ф.-м.н., профессор Н.Г.Галкин (2010-2012) .
4. Проект "Исследование процессов роста в системах кремний - силицид -кремний и их свойств методами оптической спектроскопии’/ и комбинационного рассеяния ИАПУ." Руководитель проекта - д.ф.-м.н., профессор Галкин Н.Г. Поддержка - чл.-корр. РАН Е.А. Виноградов. Номер проекта - 09-ЮФН-02 (2009-2011).
В данной диссертационной работе формирование тонких слоев железа с использованием двумерной поверхностной фазы 81(111)-(2х2)-Ре и исследование их свойств выполнены при поддержке грантов РФФИ №07-02-00958 а и №09-02-98501р_восток_а, и гранта ДВО РАИ №09-1-ОФН-01.
Работы по формированию тонких слоев Са281 на основе прекурсора М§281 на 81(111) и исследование их свойств выполнены при поддержке фантов РФФИ №. 10-02-00284_а и ДВО РАН №09-1-Р27-05.
Цель диссертационной работы
Установление механизмов роста и определение свойств слоев железа (Ге)
и силицида кальция (Ca2Si) на поверхностной фазе Si(l 1 l)-(2x2)-Fe и прекурсоре Mg2Si на Si(lil) соответсвенно, для создания кремний-силицидных полупроводниковых наноструктур.
Основные задачи диссертационной работы
1. Исследование морфологии и электрических свойств поверхностной фазы (ПФ) Si(l 11)-(2х2)- Fe.
2. Определение механизма роста и исследование свойств железа на Si(l 11)-(2х2)- Fe.
3. Определение механизма замещения атомов Mg атомами Са в 2D фазе Mg2Si и в полупроводниковой пленке силицида магния.
4. Исследование электронных, электрических и оптических свойств слоев Ca2Si, выращенных на прекурсоре Mg2Si на Si(l 11).
Методология и методы проведенного исследования
Большинство методов исследования тонких пленок, примененные в данной диссертационной работе, как и большинство современных экспериментальных методов исследования поверхности, основываются на явлении испускания твердыми телами вторичных электронов при их бомбардировке пучком первичных электронов в условиях сверхвысокого вакуума. Энергетические спектры и угловые распределения вторичных электронов содержат достаточно полную информацию об основных микроскопических характеристиках поверхности - составе, структуре, электронном строении. Поэтому для изучения механизмов роста тонких пленок in situ в данной работе были широко использованы методы: электронной оже-спектроскопии (ЭОС), спектроскопии характеристических потерь энергии электронами (ХПЭЭ) и дифракции медленных электронов (ДМЭ).
Для определения проводимости, концентрации и подвижности носителей зарядов, использовался метод in situ Холловских температурных измерений.
При изучении стадий роста и свойств формируемых плёнок металлов и их силицидов на кремнии, во время осаждения, использовался метод дифференциальной отражательной спектроскопии (ДОС). Данные ДОС полученные во время осаждения металлов при комнатной температуре были
обработаны с помощью метода, динамического эталона, а при изохронном
отжиге - методом восстановленного эталона. Ex situ проводились исследования .
микрорельефа поверхности и ее локальных свойств с помощью. атомной
силовой микроскопии (ACM) и оптической отражательной спектроскопии.
Научная новизна полученных результатов
1. Определены полупроводниковый тип проводимости, концентрация и подвижность основных носителей (дырок) в поверхностной фазе железа Si(l 1 l)-(2x2)-Fe методом in situ температурных Холловских измерений.
2. Установлено,.что ПФ (2x2)-Fe на Si(l 11) с полным покрытием поверхности подложки выщупает в роли диффузионного барьера, препятствуя перемешиванию атомов Si и осаждаемых атомов железа. Слои Fe на такой ПФ растут в виде двумерных островков, повторяя морфологию кремниевой поверхности и сохраняя напряженное состояние кристаллической решетки, что приводит к повышению подвижности дырок в кремнии.
3. Установлено, что при осаждении: Са на прекурсор (2D фаза или тонкая пленка Mg2Si) при температурах (90 - 200 °С)? происходит замещение атомов- Mg атомами кальция и десорбция магния с поверхности! с последующим формированием Ca2Si.
4. Определена оптимальная температура (125±5°С) подложки Si(lll); с предварительно сформированным прекурсором (2D фазой Mg2Si), которая необходима ДЛЯ' получения сплошной поли кристаллической пленки Ca2Si при осаждении атомов кальция;
5. Определена ширина фундаментального перехода (1.02±0.06 эВ) методом измерения эффекта Холла для слоев Ca2Si, выращенных на Mg2Si на Si(lll).
6. Установлена область прямых фундаментальных переходов с максимальной интенсивностью (1.68-2.8 эВ) и рассчитан прямой межзонный переход с максимальной силой осциллятора (1.68-1.81эВ) в. слоях. Ga2Si, сформированных на прекурсоре Mg2Si.
Практическая значимость полученных результатов
Формирование и исследование свойств ПФ Si(l 1 l)-(2x2)-Fe связано с
определением условий формирования барьерного слоя, препятствующего силицидообразованию в ходе роста железа на 81(111). Использование такого слоя позволит разработать технологию изготовления приборов со спиновой инжекцией на кремнии.
Методики получения сплошных пленок силицида кальция на кремнии с использованием прекурсора 20 фазы 1У^81 и тонкой пленки силицида магния, могут быть использованы в целях разработки фото- и термоэлектрических приборов на кремнии. Предложена технология формирования тройных наногетероструктур Са281/1^281/81, перспективного материала для формирования полупроводниковых транзисторов.
Положения диссертации, выносимые на защиту
1. Поверхностная фаза 81(111)-(2х2)-Ре с полным покрытием поверхности подложки обладает полупроводниковой проводимостью с шириной запрещенной зоны 0.9910.06 эВ и является барьером для перемешивания атомов железа и атомов кремния в подложке.
2. Рост сверхтонких слоев Ре на ПФ 81(111)-(2х2)-Ре с полным покрытием происходит по механизму разрастания напряженных двумерных островков, вызывающих напряженное состояние кристаллической решетки Б1 до толщины слоя железа 1.35 нм, способствуя полутократному увеличению эффективной подвижности дырок в кремниевой подложке.
3. При осаждении Са на прекурсор (219 фазу Mg2Si или тонкую
пленку Mg2Si на 81(111)) замещение атомов атомами Са и десорбция магния с поверхности в условиях сверхвысокого вакуума происходит, начиная с температуры 125 °С, что приводит при толщинах Са более 1.25нм к формированию сплошной поли кристаллической пленки Са281.
4. Тонкая пленка Са281, выращенная с использованием прекурсора М^281 , обладает шириной запрещенной зоны 1.0210.06 эВ.
5. Интенсивные прямые межзонные переходы в пленках Са281, выращенных с использованием прекурсора Mg2Si, наблюдаются в диапазоне энергий фотонов 1.68 - 2.8 эВ, а смещение их
низкоэнергетической границы соответствует переходу пленки CaoSi из напряженного в релаксированное состояние.
Личный вклад соискателя
Автор принимал участие во всех экспериментах, выполненных в ИАГ1У ДВО РАН, обработке данных, обсуждении и написании статей и тезисов докладов, подготовил и запустил оборудование в АмГУ и лично выполнил эксперименты.
Достоверност ь резул ьпхатов
Обеспечивалась использованием сверхвысоковакуумной аппаратуры, стабилизированных источников питания, прецизионных анализаторов энергии, проверенных экспериментальных методик, повторяемостью результатов с малыми разбросами измеряемых величин, а также согласованностью полученных результатов с известными литературными данными.
Апробация результатов (
1. НАУКА. ТЕХНОЛОГИИ. Ш-ШОВАЦИИ. Всероссийская научная конференция молодых ученых. Новосибирск, 2008.
2. XII МЕЖРЕГИОНАЛЬНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ. Владивосток: ИАПУ ДВО РАН, 2009.
3. ФИЗИКА: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ
ИССЛЕДОВАНИЯ, ОБРАЗОВАНИЕ. VIII региональная научная конференция. Благовещенск: Амурский госуниверситет, 2009.
4. VII Международная конференция и VI Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе - «КРЕМНИИ-2010». Нижний Новгород, 2010.
5. Asia-Pacific Conference “SEMICONDUCT OR SILICIDES”, Tsukuba, 2010.
6. 9th Russia-Japan seminar on semiconductor surfaces , Vladivostok, 2010.
7. ФИЗИКА: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ
ИССЛЕДОВАНИЯ, ОБРАЗОВАНИЕ. IX региональная научная
конференция. Хабаровск, 2010.
Публикации по результатам диссертации
1. D.L. Goroshko, N.G. Galkin, D.V. Fomin, A.S. Gouralnik and S.V. Vavanova. «An investigation of the electrical and optical properties of thin iron layers grown on the epitaxial Si(lll)-(2x 2)-Fe phase and on an Si( 111 )7 x 7 surface» // J. Phys.: Condens. Matter - 21, (2009) pp. 435801-435809.
2. Д.Л. Горошко, Д.В. Фомин, A.C. Гуральник, H.Г. Галкин Электрические свойства двумерных слоев железа на упорядоченных фазах Si(l 11)7x7 и Si(l 1 l)-2x2-Fc/ Химическая физика и мсзоскопня, 2009, т. 11, №3, сс. 353-360.
3. Горошко Д.Л., Фомин Д.В., Гуральник А.С., Ваванова С.В., Галкин Н.Г. «Электронная структура, электрические, магнитные и оптические свойства двумерных слоев железа на поверхностных фазах Si(l 11)7x7 и Si(l 11)2x2-Fe»// Труды XII Конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов, Дальнаука, 2009 г., сс. 126-135.
4. Галкин К.Н., Фомин Д.В., Доценко С.А., Галкин Н.Г. «Исследование формирования, параметров электронной структуры и оптических свойств систем на основе двумерных пленок силицида кальция Ca2Si на кремнии с использованием прекурсора - Si(l 11)2/3V3x2/3V3-Mg» // Труды VIII Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование», АмГУ, 2009,сс. 133-137.
5. С.А. Доценко, Д.В. Фомин, Н.Г. Галкин. «Влияние фазы Si(l 11)7x7 и пленки Mg2Si/Si(l 11) на формирование и оптические свойства пленки полупроводникового силицида кальция»// Химическая физика и мезоскопня, 2010, т. 12, №3, сс. 376-381.
6. S.A. Dotsenko, D.V. Fomin, K.N. Galkin, D.L. Goroshko and N.G. Galkin “Growth, optical and electrical properties of Ca2Si fdm grown on Si( 111) and Mg2Si/Si(l 11) substrates”//Asia-Pacific Conference on Semiconductor Silicides (APAC-SILICIDE 2010), Tsukuba University, Japan, 2010; pp.60-61.
7. Доценко С.А., Фомин Д.В., Галкин K.H., Горошко Д.Л., Галкин Н.Г. “Определение диапазона температур оптимальных для формирования
- Київ+380960830922