ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.
ГЛАВА 1. Некоторые физикохимические явления, сопровождающие
процесс направленной кристаллизации
1.1. Поверхностное натяжение
1.2. Зависимость поверхностного натяжения от
температуры.
1.3 Электрокапиллярные явления
1.4. Электрические явления, сопровождающие кристаллизацию.
1.5. Влияние электрического тока на процесс кристаллизации
1.6. Доказательства объемного характера направленной
кристаллизации некоторых расплавов.
1.7. Коэффициент распределения примеси
о л
. Постановка задачи ..т.г.г.,д.
ГЛАВА 2. Влияние гетеровалентной примеси на поверхностное
натяжение расплавов галлий содержащих фанатов
2.1 Механизм диссоциации оксидов при плавлении галлиевых
гранатов.
2.2 Влияние гетеровалентной примеси на коэффициент
поверхностного натяжения расплава
2.3 Влияние испарения закиси галлия Са0 на поверхностное
натяжение расплава Эасодержащего фаната.
ГЛАВА 3. Поверхностное натяжение расплавов галлиевых гранатов.
3.1 Эксперимент. Схема измерительной ячейки и блок схема
измерительной установки
3.2. Температурная зависимость коэффициента поверхностного
натяжения
3.3 Влияние атмосферы над расплавом и состава расплава на
коэффициент поверхностного натяжения.
ГЛАВА 4. Электрокапиллярные явления в расплаве иттрийскандий
галлиевого фаната
4.1 Влияние электрического поля на коэффициент поверхностного
натяжения расплава
4.2 Механизм взаимодействия иридиевого тигля с расплавом
васодержащего граната
ГЛАВА 5. Массоперенос при направленной кристаллизации с
наложением электрического поля
5.1 Влияние электрического поля на сегрегацию ионов в расплаве
вблизи фронта кристаллизации
5.2 Массоперенос при направленной кристаллизации с
наложением электрического поля
ГЛАВА 6. Распределение примеси внутри диффузионного слоя в
модели кластерной кристаллизации
Введение.
6.1 Постановка задачи
6.2 Выражение для дх.
6.3 Уравнения для концентрации примеси в жидкой фазе и в
кластерах
6.4. Соотношения между параметрами.
6.5. Граничные условия
6.6. Решение системы уравнений.
ГЛАВА 7. Выращивание лазерных и сцинтилляционных
кристаллов
7.1 Рост кристаллов УЗсЫвсОаЬбазО
7.2 Рост кристаллов вс0..
7.3 Рост кристаллов .
7.4 Расход иридия, защита иридиевых тиглей от взаимодействия
с расплавом.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922