- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2013
Артикул:
324593 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава
- Калорические, термические и электрофизические свойства твердых растворов Ba1-xCexTiO3
- Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
- Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия
- Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией
- Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах
- Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
- Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
- Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
- Поляризационно-селективные свойства четырехслойных оптических диэлектрических волноводов