- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2013
Артикул:
324593 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Поглощение акустических волн в диэлектрических кристаллах с примесями
- Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
- Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн
- Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом
- Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
- Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
- Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках
- Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
- Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур
- Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации