- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2013
Артикул:
324593 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях
- Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия
- Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях
- Структурные микронеоднородности и междоменное взаимодействие в оксидных ферримагнитных средах
- Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5
- Влияние электрического поля на магнитосопротивление германия и арменида галлия
- Многоволновая рентгеновская рефлектометрия для анализа многокомпонентных пространственно упорядоченных структур
- Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния
- Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
- Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния