ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ .
1.1. Область гомогенности теллурида кадмия .
1.2. Собственные дефекты в СсТТе
1.3. Взаимодействие собственных и примесных
дефектов в решетке теллурида кадмия
1.4. Взаимодействие точечных дефектов с
дислокациями
Глава П. ПОЛУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ СсТе И МЕТОДИКИ ИХ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ
2Л. Синтез и выращивание кристаллов СсТе .
2.2. Приготовление образцов и нанесение контактов
2.3. Контроль однородности образцов
2.4. Методика электрических измерений.
2.5. Методика фотоэлектрических измерений.
Глава Ш. НЕСТАБИЛЬНОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
НЕЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ р СсТе
3.1. Временные изменения в рСсТе. . Анализ различных моделей
3.2. Характер временных изменений в низкоомном рСсТе о низким уровнем неконтролируемых примесей.
3.3. Нестабильности электрических свойств теллури
да кадмия с высоким уровнем неконтролируемых примесей
3.4. Кинетика процессов,происходящих в рСсТе
при низкотемпературном отжиге
3.5. Временные изменения электрических свойств образцов, полученных низкотемпературными методами.
3.6. Электрические свойства теллурида кадмия,
содержащего значительные концентрации собственных дефектов.
Глава 1У. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СоТе .ЛЕГИРОВАННОГО
АМФОТЕРНЫМИ ПРИМЕСШЛИ е , За
4.1. Электрические свойства теллурида кадмия,
легированного г. .
4.2. Собственная проводимость кристаллов
СоТе Се , СсТе Бп.
4.3. Влияние термообработки на электрические
свойства СсТе , легированного амфотерной примесью
Глава У. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СсТе Се, Ре .СОДЕРЖАЩИХ ОБЛАСТИ МИКРОНЕОДНОРОДНОСТЕЙ.ПО
5.1. Анизотропия подвижности носителей заряда в
кристаллах СсТе СеПО
5.2. Влияние неоднородностей на электрические
свойства СсТе., легированного германием III
5.3. Фотоэлектрические свойства неоднородных
кристаллов СсТе Се.
5.4. Электрические и фотоэлектрические свойства
кристаллов СсТе Ре с магнитным упорядочением
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922