Ви є тут

Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2

Автор: 

Малявка Лариса Васильевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000221545

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок
• Акустическая микроскопия твердотельных структур
• Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник
• Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
• Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое
• Коллективные явления в суперионных проводниках
• Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния
• Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
• Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации
• Дислокационные термоэлектрические и термомагнитные эффекты в щелочногалоидных кристаллах