Ви є тут

Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2

Автор: 

Малявка Лариса Васильевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000221545

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Оптические свойства гетероструктур (Zn, Cd)Se/(Zn, Mg)(S, Se) с массивами квантовых точек
• Метод расчета и моделирования функциональных схем
• Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
• Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
• Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
• Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках
• Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод
• Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
• Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом
• Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов