Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм

Оглавление
Введение .
Глава 1. Технологии источников излучения спектрального диапазона
25 мкм обзор.
1.1 Области применения устройств инфракрасной
оптоэлектроники
Коммуникации
Детекция веществ
Преобразование энергии
1.2. Материалы для изготовления устройств спектрального
диапазона 35мкм.
1.3. Способы получения тврдых растворов А3В5
Молекулярнолучевая эпитаксия.
Жидкофазная эпитаксия.
Газофазная эпитаксия из металлорганических соединений ГФЭ
МОС.
1.4. Гетероструктуры для среднего инфракрасного диапазона
Лазерные гетерострукгуры
Светодиоды
Фотодиоды.
Термофотоэлектрические ТФЭ преобразователи
Выводы.
Глава 2. Модели описания и расчта свойств полупроводниковых
материалов
2.1. Расчт физических свойств полупроводниковых материалов
Ширина запрещнной зоны.
Показатель преломления
Расчт положения крав зон
2.2 Расчт зависимостей свойств тврдых растворов от состава
Модель образования многокомпонентных тврдых растворов
Интерполяционные формулы
2.3. Выбор материалов для приборов спектрального диапазона 3
Выводы.
Глава 3. Получения и исследования слов тврдых растворов л
спектрального диапазона 2.5 4 мкм.
3.7. Методика исследования полученных эпитаксиальных слов
Определение НПР эпитаксиальных слоев
Измерение состава эпитаксиальных слов
Исследование фотолюминесценции полученных слоев.
Измерение толщины полученных эпитаксиальных слоев.
3.2. Получение полупроводниковых тврдых растворов А
методом ЖФЭ
Методика расчта гетерогенных фазовых равновесий в систе3
тврдых растворов .
Приготовление шихты.
Измерение температуры ликвидуса и критического переохлакДе1ИЯ системы по методу прямого визуального наблюдения
Установка для эпитаксиального роста.
Особенности ЖФЭ материалов Оа1пА8Ь, 1пАР8Ь и
3.3. Газофазная эпитаксия из металлорганических соединений Г
МОС. 9
Установка для эпитаксиального роста.
ГФЭ МОС тврдых растворов АВ5 на установке А1Х0
Общие особенности процесса ГФЭ МОС
Г ФЭ МОС тврдых растворов 1п .
ГФЭ МОС тврдых растворов Оа1пАз8Ь
ГФЭ МОС тврдых растворов 1 1
ГФЭ МОС тврдых растворов 1пАзР8Ь.
3.4. Приготовление подложек. у
Выводы.
Глава 4. Люминесцентные характеристики тврдых растворов Ар
излучающих в диапазоне 3 4 мкму
4.1. Тврдые растворы вапАвРВЬ. изопериодичные с ваБЬ.
4.2. Температурные зависимости ФЛузкозонных материалов.
Выводы
Заключение.
Список использованной литературы