Ви є тут

Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов

Автор: 

Ременный Максим Анатольевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212204

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
• Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
• Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
• Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
• Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе ?-Si
• Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка
• Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
• Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
• Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
• Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP2 , In x Ga1-x As и GaAs1-x Sb x