Ви є тут

Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов

Автор: 

Ременный Максим Анатольевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212204

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры
• Влияние эффекта Яна-Теллера на упругие, магнитные и электронные свойства слаболегированных лантан-стронциевых манганитов
• Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
• Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе
• Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
• Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
• Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
• Суперпарамагнетизм и сверхпроводимость в системе 3d-центров
• Субмиллиметровая ЛОВ-спектроскопия полупроводников и сверхпроводников
• Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников