Ви є тут

Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов

Автор: 

Ременный Максим Анатольевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212204

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Отражение света в полупроводниковых гетероструктурах при воздействии модулированным электрическим током
• Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков
• Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике
• Электрические и оптические свойства пиролитических пленок окислов металлов
• Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
• Явления электронного переноса при низких температурах
• Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
• Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs
• Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия
• Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения