Вы здесь

Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов

Автор: 

Ременный Максим Анатольевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000212204

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Эффекты переключения мод в AlGaAs/InGaAs/GaAs полупроводниковых лазерах и интегрально-оптические модуляторы мощного излучения на их основе
• Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs
• Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
• Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств
• Полупроводниковые элементы интегральной оптики, полученные с использованием ионно-плазменного напыления
• Вторичное свечение в пленках тетраэдрического углерода при лазерном возбуждении
• Перестраиваемые одномерные фотонные кристаллы на основе щелевого кремния и жидкокристаллического наполнителя
• Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ
• Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
• Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе