- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1984
Артикул:
452768 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями
- Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя p-n - перехода
- Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O)
- Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
- Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Наноразмерные структуры Si/SiO2 и сенсоры на их основе
- Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
- Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs