- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2006
Артикул:
325528 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
- Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии
- Магнитооптические эффекты в полупроводниковых наноструктурах с примесными центрами атомного и молекулярного типа
- Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером
- Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия
- Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств
- Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия